SPI08N50C3INの技術仕様
Infineon Technologies - SPI08N50C3IN技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - SPI08N50C3IN仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.9V @ 350µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO262-3-1 | |
| シリーズ | CoolMOS™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 600mOhm @ 4.6A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 83W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 750 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 32 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 7.6A (Tc) |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | 適用できません |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | Vendor Undefined |
| ECCN | EAR99 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies SPI08N50C3INと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | SPI07N65C3IN | SPI08N50C3 | SPI08N50C3XK | SPI08N50C3XKSA1 |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | - | - | - | - |
| シリーズ | - | - | - | - |
| パッケージ | - | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | - | - | - | - |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | - | - | - | - |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | - | - | - | - |
| FET特長 | - | - | - | - |
| Vgs（最大） | - | - | - | - |
| 技術 | - | - | - | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | - | - | - | - |
| 装着タイプ | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| 運転温度 | - | -40°C ~ 85°C | 0°C ~ 70°C | -40°C ~ 85°C |
| サプライヤデバイスパッケージ | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | - | - | - | - |
| FETタイプ | - | - | - | - |
| 電力消費（最大） | - | - | - | - |
| パッケージ/ケース | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | - | - | - | - |
SPI07N60S5HKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 600V 7.3A TO262-3SPI08N50C3Infineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFETSPI100N08S2-07Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 75V 100A TO262-3SPI100N03S2-03Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 100A TO262-3SPI07N60S5Infineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFET
SPI1004A-R40M-SNETRONICSPI08N50C3XKInfineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFETSPI08N50C3XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 560V 7.6A TO262-3SPI08N50C3HKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 500V 7.6A TO262-3SPI100N03S2L03Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 100A TO262-3SPI07N65C3Infineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFETSPI08N80C3XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 800V 8A TO262-3SPI07N65C3INInfineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFETSPI07N65C3XKSA1Infineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFETSPI100N03S2L-03Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 100A TO262-3SPI08N80C3Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 800V 8A TO262-3SPI07N60S5INInfineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFETSPI07N65C3HKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 650V 7.3A TO262-3あなたのメールアドレスは公開されません。
| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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