DMTH6010SCTの技術仕様
Diodes Incorporated - DMTH6010SCT技術仕様、属性、パラメーター、およびDiodes Incorporated - DMTH6010SCT仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Diodes Incorporated | |
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA | |
Vgs(最大) | ±20V | |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-3 | |
シリーズ | Automotive, AEC-Q101 | |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 7.2mOhm @ 20A, 10V | |
電力消費(最大) | 2.8W (Ta), 125W (Tc) | |
パッケージ/ケース | TO-220-3 | |
パッケージ | Tube |
製品属性 | 属性値 | |
---|---|---|
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
装着タイプ | Through Hole | |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1940 pF @ 30 V | |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 36.3 nC @ 10 V | |
FETタイプ | N-Channel | |
FET特長 | - | |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V | |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 60 V | |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 100A (Tc) | |
基本製品番号 | DMTH6010 |
属性 | 説明 |
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RoHS ステータス | |
湿度感度レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
州に到達します | REACH Affected |
ECCN | EAR99 |
HTSUS |
右側の三つのパーツはDiodes Incorporated DMTH6010SCTと同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | DMTH6010SCT | DMTH6005LK3Q-13 | DMTH6005LPSQ-13 | DMTH6016LPSQ-13 |
メーカー | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
パッケージ/ケース | TO-220-3 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN |
FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 7.2mOhm @ 20A, 10V | 5.6mOhm @ 50A, 10V | 5.5mOhm @ 50A, 10V | 16mOhm @ 20A, 10V |
装着タイプ | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
パッケージ | Tube | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
基本製品番号 | DMTH6010 | DMTH6005 | DMTH6005 | DMTH6016 |
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 100A (Tc) | 90A (Tc) | 20.6A (Ta), 100A (Tc) | 9.8A (Ta), 37A (Tc) |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
電力消費(最大) | 2.8W (Ta), 125W (Tc) | 2.1W (Ta), 100W (Tc) | 3.2W (Ta), 150W (Tc) | 2.6W (Ta), 37.5W (Tc) |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 60 V | 60 V | 60 V | 60 V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs(最大) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
FET特長 | - | - | - | - |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 36.3 nC @ 10 V | 47.1 nC @ 10 V | 47.1 nC @ 10 V | 17 nC @ 10 V |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-3 | TO-252-3 | PowerDI5060-8 | PowerDI5060-8 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1940 pF @ 30 V | 2962 pF @ 30 V | 2962 pF @ 30 V | 864 pF @ 30 V |
シリーズ | Automotive, AEC-Q101 | Automotive, AEC-Q101 | - | Automotive, AEC-Q101 |
DMTH6010SCT - Diodes IncorporatedのDMTH6010SCT PDFデータテーブルとDiodes Incorporatedドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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