HGT1S12N60A4DSの技術仕様
Fairchild Semiconductor - HGT1S12N60A4DS技術仕様、属性、パラメーター、およびFairchild Semiconductor - HGT1S12N60A4DS仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Fairchild (onsemi) | |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） | 600 V | |
| VGE、Icを@ VCE（上）（最大） | 2.7V @ 15V, 12A | |
| 試験条件 | 390V, 12A, 10Ohm, 15V | |
| Td（オン/オフ）@ 25℃ | 17ns/96ns | |
| エネルギーの切り替え | 55µJ (on), 50µJ (off) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-263AB | |
| シリーズ | - | |
| 逆回復時間（trrの） | 30 ns | |
| 電力 - 最大 | 167 W |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| パッケージ | Bulk | |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力タイプ | Standard | |
| IGBTタイプ | - | |
| ゲートチャージ | 120 nC | |
| 電流 - コレクタパルス（ICM） | 96 A | |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max） | 54 A |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | ROHS3準拠 |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Affected |
| ECCN | EAR99 |
右側の三つのパーツはFairchild Semiconductor HGT1S12N60A4DSと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | HGT1S12N60A4DS | HGT1S12N60A4S9A | HGT1S12N60B3DS | HGT1S12N60C3D |
| メーカー | onsemi | onsemi | Harris Corporation | Harris Corporation |
| サプライヤデバイスパッケージ | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
| ゲートチャージ | - | - | - | - |
| 運転温度 | - | -40°C ~ 85°C | 0°C ~ 70°C | -40°C ~ 85°C |
| 電力 - 最大 | - | - | - | - |
| IGBTタイプ | - | - | - | - |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max） | - | - | - | - |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） | - | - | - | - |
| 試験条件 | - | - | - | - |
| VGE、Icを@ VCE（上）（最大） | - | - | - | - |
| エネルギーの切り替え | - | - | - | - |
| 装着タイプ | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| 逆回復時間（trrの） | - | - | - | - |
| Td（オン/オフ）@ 25℃ | - | - | - | - |
| 電流 - コレクタパルス（ICM） | - | - | - | - |
| パッケージ | - | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| 入力タイプ | - | - | - | Differential |
| パッケージ/ケース | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| シリーズ | - | - | - | - |
HGT1S10N120BNST##QQQQQQQQHGT1S12N60A4DSonsemiIGBT 600V 54A 167W D2PAK
HGT1N30N60A4DonsemiIGBT MOD 600V 96A 255W SOT227B
HGT1N30N60A4DFairchild SemiconductorIGBT, 96A, 600V, N-CHANNELHGT1S12N60C3DHarris Corporation24A, 600V, N-CHANNEL IGBTHGT100HF120CAIGBTIGBT ModuleHGT1S10N120BNSTonsemiIGBT 1200V 35A 298W TO263ABHGT1S10N120BNSFairchild SemiconductorIGBT, 35A, 1200V, N-CHANNEL, TO-HGT1S10N120BNSonsemiIGBT 1200V 35A 298W TO263ABHGT1S12N60B3SHarris Corporation27A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBTHGT1S12N60B3Harris Corporation27A, 600V, N-CHANNEL IGBTHGT1S12N60B3DSHarris Corporation27A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT W/HGT1S12N60C3Harris Corporation27A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBTHGT1N40N60A4DonsemiIGBT MOD 600V 110A 298W SOT227BHGT1S12N60A4S9AHGT1S12N60A4S9AonsemiIGBT 600V 54A 167W TO263ABHGT050HF120EFDCIGBT ModuleHGT1S12N60B3DHarris Corporation27A, 600V, N-CHANNEL IGBTあなたのメールアドレスは公開されません。
| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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