PMR280UN,115の技術仕様
NXP USA Inc. - PMR280UN,115技術仕様、属性、パラメーター、およびNXP USA Inc. - PMR280UN,115仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | NXP Semiconductors | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±8V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | SC-75 | |
| シリーズ | TrenchMOS™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 340mOhm @ 200mA, 4.5V | |
| 電力消費（最大） | 530mW (Tc) | |
| パッケージ/ケース | SC-75, SOT-416 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 45 pF @ 20 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 0.89 nC @ 4.5 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.8V, 4.5V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 980mA (Tc) | |
| 基本製品番号 | PMR2 |
右側の三つのパーツはNXP USA Inc. PMR280UN,115と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | PMR280UN,115 | PMR290XN,115 | PMR400UN,115 | PMR290UNE,115 |
| メーカー | NXP USA Inc. | NXP USA Inc. | NXP USA Inc. | NXP USA Inc. |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | 1V @ 250µA | 950mV @ 250µA |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | 20 V | 30 V | 20 V |
| シリーズ | TrenchMOS™ | TrenchMOS™ | TrenchMOS™ | - |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 基本製品番号 | PMR2 | PMR2 | PMR4 | PMR2 |
| パッケージ/ケース | SC-75, SOT-416 | SC-75, SOT-416 | SC-75, SOT-416 | SC-75, SOT-416 |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 45 pF @ 20 V | 34 pF @ 20 V | 43 pF @ 25 V | 83 pF @ 10 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 340mOhm @ 200mA, 4.5V | 350mOhm @ 200mA, 4.5V | 480mOhm @ 200mA, 4.5V | 380mOhm @ 500mA, 4.5V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 0.89 nC @ 4.5 V | 0.72 nC @ 4.5 V | 0.89 nC @ 4.5 V | 0.68 nC @ 4.5 V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 電力消費（最大） | 530mW (Tc) | 530mW (Tc) | 530mW (Tc) | 250mW (Ta), 770mW (Tc) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 980mA (Tc) | 970mA (Tc) | 800mA (Tc) | 700mA (Ta) |
| Vgs（最大） | ±8V | ±12V | ±8V | ±8V |
| サプライヤデバイスパッケージ | SC-75 | SC-75 | SC-75 | SC-75 |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.8V, 4.5V | 2.5V, 4.5V | 1.8V, 4.5V | 1.8V, 4.5V |
PMR280UN,115 - NXP USA Inc.のPMR280UN,115 PDFデータテーブルとNXP USA Inc.ドキュメントをダウンロード
PMR290UNEFreescale / NXP Semiconductors
PMR10EZPFU5L00LAPIS SemiconductorRES 0.005 OHM 1% 1/2W 0805
PMR100HZPFV1L00Rohm SemiconductorRES 0.001 OHM 1% 2W 2512
PMR100HZPFV2L00LAPIS SemiconductorRES 0.002 OHM 1% 2W 2512PMR290XN,115NXP USA Inc.MOSFET N-CH 20V 970MA SC75
PMR100PZPXFV2L00LAPIS TechnologyPMR370XNFreescale / NXP SemiconductorsPMR290XNFreescale / NXP SemiconductorsPMR5118UWPFlex Power ModulesDC DC CONVERTER 0.7-3.6V 180WPMR100PZPXFU7L00LAPIS TechnologyPMR400UN,115NXP USA Inc.MOSFET N-CH 30V 800MA SC75
PMR18EZPFV2L00LAPIS SemiconductorRES 0.002 OHM 1% 1W 1206PMR280UN/DGFreescale / NXP Semiconductors
PMR10EZPFV3L00Rohm SemiconductorRES 0.003 OHM 1% 1/2W 0805PMR290UNE,115NXP USA Inc.MOSFET N-CH 20V 700MA SC75
PMR25HZPFU5L00LAPIS SemiconductorRES 0.005 OHM 1% 1W 1210
PMR25HZPFV1L00Rohm SemiconductorRES 0.001 OHM 1% 1W 1210PMR280UNFreescale / NXP Semiconductors| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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