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| 数量 | 単価 | 累計金額 |
|---|---|---|
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R6002ENDTLの技術仕様
Rohm Semiconductor - R6002ENDTL技術仕様、属性、パラメーター、およびRohm Semiconductor - R6002ENDTL仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | LAPIS Technology | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 1mA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | CPT3 | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 3.4Ohm @ 500mA, 10V | |
| 電力消費（最大） | 20W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 65 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 6.5 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1.7A (Tc) | |
| 基本製品番号 | R6002 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | ROHS3準拠 |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
右側の三つのパーツはRohm Semiconductor R6002ENDTLと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | R6002ENDTL | R6002ENHTB1 | R6002END3TL1 | R60030-1CR |
| メーカー | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Eaton - Bussmann Electrical Division |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | - |
| 基本製品番号 | R6002 | R6002 | R6002 | - |
| シリーズ | - | - | - | R600 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1.7A (Tc) | 1.7A (Ta) | 1.7A (Tc) | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | - |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | - |
| FET特長 | - | - | - | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 6.5 nC @ 10 V | 6.5 nC @ 10 V | 6.5 nC @ 10 V | - |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | - |
| 電力消費（最大） | 20W (Tc) | 2W (Ta) | 26W (Tc) | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 3.4Ohm @ 500mA, 10V | 3.4Ohm @ 500mA, 10V | 3.4Ohm @ 500mA, 10V | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 65 pF @ 25 V | 65 pF @ 25 V | 65 pF @ 25 V | - |
| 運転温度 | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 1mA | 4V @ 1mA | 4V @ 1mA | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | CPT3 | 8-SOP | TO-252 | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | 600 V | 600 V | - |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Chassis Mount |
R60030-1CREaton - Bussmann Electrical DivisionFUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSISR60030-1PREaton - Bussmann Electrical DivisionFUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS
R6001830XXYAPowerex Inc.DIODE GP 1.8KV 300A DO205AB DO9R60030-1SREaton - Bussmann Electrical DivisionFUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSISR60030-2CREaton - Bussmann Electrical DivisionFUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSISR6002025XXYAPowerex Inc.DIODE GP 2KV 250A DO205AB DO9R60030-1COREaton - Bussmann Electrical DivisionFUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSISR6002625XXYAPowerex Inc.DIODE GP 2.6KV 250A DO205AB DO9R60030-2SREaton - Bussmann Electrical DivisionFUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSISR6002ENHTB1Rohm Semiconductor600V 1.7A SOP8, LOW-NOISE POWERR60030-2PREaton - Bussmann Electrical DivisionFUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSISR6002225XXYAPowerex Inc.DIODE GP 2.2KV 250A DO205AB DO9R6001825XXYAPowerex Inc.DIODE GP 1.8KV 250A DO205AB DO9R6002END3TL1Rohm SemiconductorMOSFET N-CH 600V 1.7A TO252
R60030-2CORBussmann (Eaton)FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSISR6002030XXYAPowerex Inc.DIODE GP 2KV 300A DO205AB DO9R6002425XXYAPowerex Inc.DIODE GP 2.4KV 250A DO205AB DO9
R6002END TLLAPIS Technologyあなたのメールアドレスは公開されません。
| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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