R6035ENZC8の技術仕様
Rohm Semiconductor - R6035ENZC8技術仕様、属性、パラメーター、およびRohm Semiconductor - R6035ENZC8仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | LAPIS Technology | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 1mA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-3PF | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 102mOhm @ 18.1A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 120W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-3P-3 Full Pack | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2720 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 110 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 35A (Tc) |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | ROHS3準拠 |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
右側の三つのパーツはRohm Semiconductor R6035ENZC8と同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | R6035ENZM12C8 | R6035KNZC8 | R6035ENZ1C9 | R6035ENZC17 |
| メーカー | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | - | - | - | - |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | - | - | - | - |
| パッケージ | - | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| サプライヤデバイスパッケージ | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | - | - | - | - |
| Vgs（最大） | - | - | - | - |
| 運転温度 | - | -40°C ~ 85°C | 0°C ~ 70°C | -40°C ~ 85°C |
| パッケージ/ケース | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| FET特長 | - | - | - | - |
| FETタイプ | - | - | - | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | - | - | - | - |
| シリーズ | - | - | - | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | - | - | - | - |
| 技術 | - | - | - | - |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | - | - | - | - |
| 電力消費（最大） | - | - | - | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | - | - | - | - |
| 装着タイプ | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
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R60400-1STREaton - Bussmann Electrical DivisionFUSE BLOK CART 600V 400A CHASSISR6035ENZM12C8Rohm SemiconductorMOSFET N-CH 600V 35A TO3R6035KNZC8Rohm SemiconductorMOSFET N-CHANNEL 600V 35A TO3PF
R6031235Powerex, Inc.IGBT ModuleR6031435ESYAPowerex Inc.DIODE GP REV 1.4KV 350A DO205ABR6031235ESYAPowerex Inc.DIODE GP REV 1.2KV 350A DO205ABR6031425HSYAPowerex Inc.DIODE GP REV 1.4KV 250A DO205ABR6035ENZ1C9Rohm SemiconductorMOSFET N-CH 600V 35A TO247R6035KNZC17Rohm SemiconductorMOSFET N-CH 600V 35A TO3PFR6035KNZ1C9Rohm SemiconductorMOSFET N-CHANNEL 600V 35A TO247R60400-1CREaton - Bussmann Electrical DivisionFUSE BLOK CART 600V 400A CHASSIS
R6035VNXC7GRohm Semiconductor600V 17A TO-220FM, PRESTOMOS WITR6035ENZC17Rohm SemiconductorMOSFET N-CH 600V 35A TO3PFR6032022Powerex, Inc.IGBT ModuleR6035KNZ4C13Rohm SemiconductorMOSFET N-CH 600V 35A TO247R6031225HSYAPowerex Inc.DIODE GP REV 1.2KV 250A DO205ABR6035ENZ4C13Rohm SemiconductorMOSFET N-CH 600V 35A TO247R6035VNX3C16Rohm Semiconductor600V 35A TO-220AB, PRESTOMOS WITあなたのメールアドレスは公開されません。
| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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