APT100MC120JCU2の技術仕様
Microchip Technology - APT100MC120JCU2技術仕様、属性、パラメーター、およびMicrochip Technology - APT100MC120JCU2仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Microchip Technology | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.3V @ 2mA | |
| Vgs（最大） | +25V, -10V | |
| 技術 | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-227 | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 17mOhm @ 100A, 20V | |
| 電力消費（最大） | 600W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | SOT-227-4, miniBLOC | |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Chassis Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 5960 pF @ 1000 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 360 nC @ 20 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 20V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1200 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 143A (Tc) | |
| 基本製品番号 | APT100 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | ROHS3準拠 |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
右側の三つのパーツはMicrochip Technology APT100MC120JCU2と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | APT100MC120JCU2 | APT106N60B2C6 | APT100M50J | APT106N60LC6 |
| メーカー | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| FET特長 | - | - | - | - |
| パッケージ | Bulk | Tube | Tube | Tube |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-227 | T-MAX™ [B2] | SOT-227 | TO-264 (L) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 17mOhm @ 100A, 20V | 35mOhm @ 53A, 10V | 38mOhm @ 75A, 10V | 35mOhm @ 53A, 10V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 技術 | SiCFET (Silicon Carbide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 電力消費（最大） | 600W (Tc) | 833W (Tc) | 960W (Tc) | 833W (Tc) |
| シリーズ | - | CoolMOS™ | - | CoolMOS™ |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 360 nC @ 20 V | 308 nC @ 10 V | 620 nC @ 10 V | 308 nC @ 10 V |
| 装着タイプ | Chassis Mount | Through Hole | Chassis Mount | Through Hole |
| パッケージ/ケース | SOT-227-4, miniBLOC | TO-247-3 Variant | SOT-227-4, miniBLOC | TO-264-3, TO-264AA |
| 基本製品番号 | APT100 | APT106 | APT100 | APT106 |
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1200 V | 600 V | 500 V | 600 V |
| Vgs（最大） | +25V, -10V | ±20V | ±30V | ±20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 5960 pF @ 1000 V | 8390 pF @ 25 V | 24600 pF @ 25 V | 8390 pF @ 25 V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.3V @ 2mA | 3.5V @ 3.4mA | 5V @ 5mA | 3.5V @ 3.4mA |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 143A (Tc) | 106A (Tc) | 103A (Tc) | 106A (Tc) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 20V | 10V | 10V | 10V |
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APT106N60B2C6Microchip TechnologyMOSFET N-CH 600V 106A T-MAX
APT100GT120JRMicrochip TechnologyIGBT MOD 1200V 123A 570W ISOTOPAPT100GT60B2RGMicrochip TechnologyIGBT 600V 148A 500W SOT247APT10DC120HJMicrosemi CorporationBRIDGE RECT 1P 1.2KV 10A SOT227APT100GT120JRDQ4Microchip TechnologyIGBT MOD 1200V 123A 570W ISOTOPAPT100S20LCTGMicrochip TechnologyDIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264APT100GT120JU2Microchip TechnologyIGBT MOD 1200V 140A 480W SOT227APT100GT60JRMicrochip TechnologyIGBT MOD 600V 148A 500W ISOTOPAPT100M50JMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 500V 103A SOT227APT100GT60JRDQ4Microchip TechnologyIGBT MOD 600V 148A 500W ISOTOPAPT102GA60LMicrochip TechnologyIGBT 600V 183A 780W TO264APT100S20BGMicrochip TechnologyDIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247
APT105-R95MOGAPTAPT100GT120JU3Microchip TechnologyIGBT MOD 1200V 140A 480W SOT227APT100GT120JRDLAPTIGBT Module
APT100S20BMicrosemiAPT106N60LC6Microchip TechnologyMOSFET N-CH 600V 106A TO264APT102GA60B2Microchip TechnologyIGBT 600V 183A 780W TO247あなたのメールアドレスは公開されません。
| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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