APT22F100Jの技術仕様
Microchip Technology - APT22F100J技術仕様、属性、パラメーター、およびMicrochip Technology - APT22F100J仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Microchip Technology | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | - | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | ISOTOP® | |
| シリーズ | POWER MOS 8™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 380mOhm @ 18A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 545W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | SOT-227-4, miniBLOC | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Chassis Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 9835 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 305 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1000 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 23A (Tc) | |
| 基本製品番号 | APT22F100 |
右側の三つのパーツはMicrochip Technology APT22F100Jと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | APT22F100J | APT21M100J | APT24M120B2 | APT22F120B2 |
| メーカー | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| 電力消費（最大） | 545W (Tc) | 462W (Tc) | 1040W (Tc) | 1040W (Tc) |
| シリーズ | POWER MOS 8™ | POWER MOS 8™ | POWER MOS 8™ | POWER MOS 8™ |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 9835 pF @ 25 V | 8500 pF @ 25 V | 8370 pF @ 25 V | 8370 pF @ 25 V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | - | 5V @ 2.5mA | 5V @ 2.5mA | 5V @ 2.5mA |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1000 V | 1000 V | 1200 V | 1200 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 305 nC @ 10 V | 260 nC @ 10 V | 260 nC @ 10 V | 260 nC @ 10 V |
| 装着タイプ | Chassis Mount | Chassis Mount | Through Hole | Through Hole |
| パッケージ/ケース | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC | TO-247-3 Variant | TO-247-3 Variant |
| 基本製品番号 | APT22F100 | APT21M100 | APT24M120 | APT22F120 |
| FET特長 | - | - | - | - |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| サプライヤデバイスパッケージ | ISOTOP® | ISOTOP® | T-MAX™ [B2] | T-MAX™ [B2] |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 23A (Tc) | 21A (Tc) | 24A (Tc) | 23A (Tc) |
| Vgs（最大） | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 380mOhm @ 18A, 10V | 380mOhm @ 16A, 10V | 630mOhm @ 12A, 10V | 700mOhm @ 12A, 10V |
APT22F100J - Microchip TechnologyのAPT22F100J PDFデータテーブルとMicrochip Technologyドキュメントをダウンロード
APT20M40JVFRAPTIGBT ModuleAPT25GN120B2DQ2GMicrochip TechnologyIGBT 1200V 67A 272W TMAX
APT20SCD65KMicrosemi CorporationDIODE SIL CARB 650V 32A TO220APT21M100JMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 1000V 21A ISOTOPAPT20M45BVRAPTAPT24M120B2Microchip TechnologyMOSFET N-CH 1200V 24A T-MAXAPT25GF100BNAPTIGBT ModuleAPT2101D60JAPTIGBT ModuleAPT20M45JVRAPTIGBT ModuleAPT22F120B2Microchip TechnologyMOSFET N-CH 1200V 23A T-MAXAPT24F50BMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 500V 24A TO247APT23F60BMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 600V 24A TO247APT20M45BVRGMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 200V 56A TO247APT230D100JAPTIGBT ModuleAPT22F120LMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 1200V 23A TO264APT20M40JNXAPTIGBT ModuleAPT20N60BCFAPTAPT22F80BMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 800V 23A TO247| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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