- Jess***Jones
- 04/17/2026
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| 数量 | 単価 | 累計金額 |
|---|---|---|
| 1+ | $61.731 | $61.73 |
| 200+ | $24.631 | $4,926.20 |
| 500+ | $23.808 | $11,904.00 |
| 1000+ | $23.402 | $23,402.00 |
APT25M100Jの技術仕様
Microchip Technology - APT25M100J技術仕様、属性、パラメーター、およびMicrochip Technology - APT25M100J仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Microchip Technology | |
| 同上@ VGS(TH)(最大) | 5V @ 2.5mA | |
| Vgs(最大) | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | ISOTOP® | |
| シリーズ | POWER MOS 8™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 330mOhm @ 18A, 10V | |
| 電力消費(最大) | 545W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | SOT-227-4, miniBLOC | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Chassis Mount | |
| 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 9835 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 305 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V | |
| ソース電圧(VDSS)にドレイン | 1000 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 25A (Tc) | |
| 基本製品番号 | APT25M100 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | ROHS3準拠 |
| 湿度感度レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
右側の三つのパーツはMicrochip Technology APT25M100Jと同様の仕様
| 製品属性 | ![]() |
![]() |
||
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | APT26M100JCU2 | APT26M100JCU3 | APT25SM120S | APT25SM120B |
| メーカー | Microchip Technology | Microchip Technology | Microsemi Corporation | Microsemi Corporation |
| 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | - | - | - | - |
| パッケージ | - | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | - | -40°C ~ 85°C | 0°C ~ 70°C | -40°C ~ 85°C |
| 装着タイプ | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | - | - | - | - |
| Vgs(最大) | - | - | - | - |
| 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | - | - | - | - |
| 技術 | - | - | - | - |
| FET特長 | - | - | - | - |
| パッケージ/ケース | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| ソース電圧(VDSS)にドレイン | - | - | - | - |
| FETタイプ | - | - | - | - |
| 電力消費(最大) | - | - | - | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | - | - | - | - |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | - | - | - | - |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 基本製品番号 | - | DAC34H84 | MAX500 | ADS62P42 |
| サプライヤデバイスパッケージ | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
| 同上@ VGS(TH)(最大) | - | - | - | - |
APT25M100J - Microchip TechnologyのAPT25M100J PDFデータテーブルとMicrochip Technologyドキュメントをダウンロード
APT25SM120SMicrosemi CorporationSICFET N-CH 1200V 25A D3
APT25GR120SD15Microchip TechnologyIGBT 1200V 75A 521W D3PAK
APT25GR120SMicrochip TechnologyIGBT 1200V 75A 521W D3PAK
APT25GR120BMicrochip TechnologyIGBT 1200V 75A 521W TO247
APT261DC120JAPTIGBT Module
APT25GR120BD15Microchip TechnologyIGBT 1200V 75A 521W TO247
APT25GT120BRDQ2GMicrochip TechnologyIGBT 1200V 54A 347W TO247
APT25SM120BMicrosemi CorporationSICFET N-CH 1200V 25A TO247
APT27GA90BD15Microchip TechnologyIGBT 900V 48A 223W TO247
APT25GR120SSCD10Microsemi CorporationIGBT 1200V 75A 521W D3PAK
APT26F120B2Microchip TechnologyMOSFET N-CH 1200V 27A T-MAX
APT25GR120BSCD10Microsemi CorporationIGBT 1200V 75A 521W TO247
APT25GT120BRGMicrochip TechnologyIGBT 1200V 54A 347W TO247
APT261D60JAPTIGBT Module
APT26F120LMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 1200V 27A TO264
APT25GP90BGMicrochip TechnologyIGBT 900V 72A 417W TO247あなたのメールアドレスは公開されません。
| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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