- Jess***Jones
- 04/17/2026
PCNその他
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| 数量 | 単価 | 累計金額 |
|---|---|---|
| 1+ | $29.62 | $29.62 |
| 200+ | $11.819 | $2,363.80 |
| 500+ | $11.424 | $5,712.00 |
| 1000+ | $11.229 | $11,229.00 |
APT75F50Lの技術仕様
Microchip Technology - APT75F50L技術仕様、属性、パラメーター、およびMicrochip Technology - APT75F50L仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Microchip Technology | |
| 同上@ VGS(TH)(最大) | 5V @ 2.5mA | |
| Vgs(最大) | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-264 [L] | |
| シリーズ | POWER MOS 8™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 75mOhm @ 37A, 10V | |
| 電力消費(最大) | 1040W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-264-3, TO-264AA | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 11600 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 290 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V | |
| ソース電圧(VDSS)にドレイン | 500 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 75A (Tc) | |
| 基本製品番号 | APT75F50 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | ROHS3準拠 |
| 湿度感度レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
右側の三つのパーツはMicrochip Technology APT75F50Lと同様の仕様
| 製品属性 | ![]() |
![]() |
![]() |
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | APT75F50L | APT75F50B2 | APT75GN120J | APT75GN60BG |
| メーカー | Microchip Technology | Microchip Technology | Microsemi Corporation | Microchip Technology |
| ソース電圧(VDSS)にドレイン | 500 V | 500 V | - | - |
| FET特長 | - | - | - | - |
| パッケージ/ケース | TO-264-3, TO-264AA | TO-247-3 Variant | ISOTOP | TO-247-3 |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-264 [L] | T-MAX™ [B2] | ISOTOP® | TO-247 [B] |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 75A (Tc) | 75A (Tc) | - | - |
| 基本製品番号 | APT75F50 | APT75F50 | - | APT75GN60 |
| 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 75mOhm @ 37A, 10V | 75mOhm @ 37A, 10V | - | - |
| ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 290 nC @ 10 V | 290 nC @ 10 V | - | - |
| 同上@ VGS(TH)(最大) | 5V @ 2.5mA | 5V @ 2.5mA | - | - |
| シリーズ | POWER MOS 8™ | POWER MOS 8™ | - | - |
| 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V | 10V | - | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | - |
| Vgs(最大) | ±30V | ±30V | - | - |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 11600 pF @ 25 V | 11600 pF @ 25 V | - | - |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Chassis Mount | Through Hole |
| 電力消費(最大) | 1040W (Tc) | 1040W (Tc) | - | - |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | - | - |
APT75F50L - Microchip TechnologyのAPT75F50L PDFデータテーブルとMicrochip Technologyドキュメントをダウンロード
APT75GN60BGMicrochip TechnologyIGBT 600V 155A 536W TO247
APT75DQ120BGMicrochip TechnologyDIODE GP 1.2KV 75A TO247
APT75GN60BDQ2GMicrochip TechnologyIGBT FIELDSTOP SINGLE 600V 75A T
APT75DQ60SGMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 75A D3PAK
APT75GN120B2GMicrochip TechnologyIGBT 1200V 200A 833W TMAX
APT75DQ120SGMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 75A D3PAK
APT75DQ60BGMicrochip TechnologyDIODE GP 600V 75A TO247
APT75DQ100BMicrosemi
APT75GN60B2DQ3GMicrosemi CorporationIGBT 600V 155A 536W TO264
APT75GN120LGMicrochip TechnologyIGBT 1200V 200A 833W TO264
APT75GF120JDF3MicrosemiIGBT Module
APT75F50B2Microchip TechnologyMOSFET N-CH 500V 75A T-MAX
APT75DQ100BGMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 1KV 75A TO247あなたのメールアドレスは公開されません。
| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |

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