PCN陳腐化/ EOL
DK OBS NOTICE.pdfMT29E384G08EBHBBJ4-3:Bの技術仕様
Micron Technology Inc. - MT29E384G08EBHBBJ4-3:B技術仕様、属性、パラメーター、およびMicron Technology Inc. - MT29E384G08EBHBBJ4-3:B仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Micron Technology | |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | - | |
| 電源電圧 - | 2.5V ~ 3.6V | |
| 技術 | FLASH - NAND | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 132-VBGA (12x18) | |
| シリーズ | - | |
| パッケージ/ケース | 132-VBGA | |
| パッケージ | Tray | |
| 運転温度 | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| メモリタイプ | Non-Volatile | |
| 記憶容量 | 384Gbit | |
| メモリ組織 | 48G x 8 | |
| メモリインタフェース | Parallel | |
| メモリ形式 | FLASH | |
| クロック周波数 | 333 MHz | |
| 基本製品番号 | MT29E384G08 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | 3A991B1A |
| HTSUS | 8542.32.0071 |
右側の三つのパーツはMicron Technology Inc. MT29E384G08EBHBBJ4-3:Bと同様の仕様
| 製品属性 | |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | MT29E384G08EBHBBJ4-3ES:B TR | MT29E384G08EBHBBJ4-3:B TR | MT29E3T08EUHBBM4-3:B TR | MT29E3T08EUHBBM4-3ES:B TR |
| メーカー | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. |
| メモリインタフェース | - | - | - | - |
| 運転温度 | - | -40°C ~ 85°C | 0°C ~ 70°C | -40°C ~ 85°C |
| 技術 | - | - | - | - |
| パッケージ/ケース | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| パッケージ | - | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| 装着タイプ | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| メモリ組織 | - | - | - | - |
| メモリタイプ | - | - | - | - |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | - | - | - | - |
| メモリ形式 | - | - | - | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
| 電源電圧 - | - | - | - | - |
| 基本製品番号 | - | DAC34H84 | MAX500 | ADS62P42 |
| クロック周波数 | - | - | - | - |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 記憶容量 | - | - | - | - |
MT29E384G08EBHBBJ4-3:B - Micron Technology Inc.のMT29E384G08EBHBBJ4-3:B PDFデータテーブルとMicron Technology Inc.ドキュメントをダウンロード
MT29E3T08EUHBBM4-3:BMicron Technology Inc.IC FLASH 3TBIT PARALLEL 333MHZ
MT29E2T08CTCCBJ7-6:CMicron Technology Inc.IC FLASH 2TB PARALLEL 152LBGAMT29E2T08CTCCBJ7-6:C TRMicron Technology Inc.IC FLASH 2TB PARALLEL 152LBGAMT29E256G08CMCDBJ5-6:D TRMicron Technology Inc.IC FLASH 256GBIT PAR 132TBGAMT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TRMicron Technology Inc.IC FLASH 2TBIT PARALLEL 333MHZMT29E384G08EBHBBJ4-3ES:B TRMicron Technology Inc.IC FLASH 384GBIT PAR 132VBGAMT29E2T08CUHBBM4-3:BMicron Technology Inc.IC FLASH 2TBIT PARALLEL 333MHZMT29E256G08CMCDBJ5-6:DMicron Technology Inc.IC FLASH 256GBIT PAR 132TBGAMT29E2T08CTCBBJ7-6:B TRMicron Technology Inc.IC FLASH 2TB PARALLEL 152LBGAMT29E2T08CUHBBM4-3:B TRMicron Technology Inc.IC FLASH 2TBIT PARALLEL 333MHZMT29E3T08EQHBBG2-3ES:BMicron Technology Inc.IC FLASH 3TBIT PAR 272LFBGAMT29E3T08EUHBBM4-3ES:B TRMicron Technology Inc.IC FLASH 3TBIT PARALLEL 333MHZMT29E3T08EUHBBM4-3:BTRMicron TechnologyMT29E4T08CTHBBM5-3:BMicron Technology Inc.IC FLASH 4TBIT PARALLEL 333MHZMT29E384G08EBHBBJ4-3:B TRMicron Technology Inc.IC FLASH 384GBIT PAR 132VBGAMT29E3T08EUHBBM4-3:B TRMicron Technology Inc.IC FLASH 3TBIT PARALLEL 333MHZMT29E256G08CMCABJ2-10Z:A TRMicron Technology Inc.IC FLASH 256GBIT PAR 132VBGAMT29E3T08EQHBBG2-3:BMicron Technology Inc.IC FLASH 3TBIT PAR 272LFBGAあなたのメールアドレスは公開されません。
| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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