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APTM20DAM10TG.pdfHTMLデータシート
Power Products Catalog.pdfAPTM20DAM10TGの技術仕様
Microsemi Corporation - APTM20DAM10TG技術仕様、属性、パラメーター、およびMicrosemi Corporation - APTM20DAM10TG仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Microsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 5mA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | SP4 | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 12mOhm @ 87.5A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 694W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | SP4 | |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Chassis Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 13700 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 224 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 200 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 175A (Tc) |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
右側の三つのパーツはMicrosemi Corporation APTM20DAM10TGと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | APTM20DAM10TG | APTM20DAM05G | APTM20DAM04G | APTM20DAM08TG |
| メーカー | Microsemi Corporation | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| パッケージ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 224 nC @ 10 V | 448 nC @ 10 V | 560 nC @ 10 V | 280 nC @ 10 V |
| パッケージ/ケース | SP4 | SP6 | SP6 | SP4 |
| サプライヤデバイスパッケージ | SP4 | SP6 | SP6 | SP4 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 175A (Tc) | 317A (Tc) | 372A (Tc) | 208A (Tc) |
| Vgs（最大） | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
| 装着タイプ | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 12mOhm @ 87.5A, 10V | 6mOhm @ 158.5A, 10V | 5mOhm @ 186A, 10V | 10mOhm @ 104A, 10V |
| 電力消費（最大） | 694W (Tc) | 1136W (Tc) | 1250W (Tc) | 781W (Tc) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 200 V | 200 V | 200 V | 200 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 13700 pF @ 25 V | 27400 pF @ 25 V | 28900 pF @ 25 V | 14400 pF @ 25 V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 5mA | 5V @ 10mA | 5V @ 10mA | 5V @ 5mA |
| シリーズ | - | - | - | - |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
APTM20DAM10TG - Microsemi CorporationのAPTM20DAM10TG PDFデータテーブルとMicrosemi Corporationドキュメントをダウンロード
APTM20AM06SGMicrochip TechnologyMOSFET 2N-CH 200V 300A SP6
APTM20DHM16T3GMicrosemi CorporationMOSFET 2N-CH 200V 104A SP3APTM20AM05FTGMicrosemi CorporationMOSFET 2N-CH 200V 333A SP4APTM20DUM05GMicrochip TechnologyMOSFET 2N-CH 200V 317A SP6APTM20AM08FTGMicrochip TechnologyMOSFET 2N-CH 200V 208A SP4APTM20DAM05GMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 200V 317A SP6APTM20DAM04GMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 200V 372A SP6APTM20DHM08GMicrosemi CorporationMOSFET 2N-CH 200V 208A SP6APTM20DHM16TGMicrosemi CorporationMOSFET 2N-CH 200V 104A SP4APTM20DAM08TGMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 200V 208A SP4APTM20DHM10GMicrosemi CorporationMOSFET 2N-CH 200V 175A SP6APTM20AM10STGMicrochip TechnologyMOSFET 2N-CH 200V 175A SP4APTM20DHM20TGMicrosemi CorporationMOSFET 2N-CH 200V 89A SP4APTM20DUM08TGMicrochip TechnologyMOSFET 2N-CH 200V 208A SP4APTM20DUM04GMicrochip TechnologyMOSFET 2N-CH 200V 372A SP6APTM20DUM05TGMicrosemi CorporationMOSFET 2N-CH 200V 333A SP8APTM20AM05FGMicrochip TechnologyMOSFET 2N-CH 200V 317A SP6APTM20AM10FTGMicrochip TechnologyMOSFET 2N-CH 200V 175A SP4あなたのメールアドレスは公開されません。
| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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