- Jess***Jones
- 04/17/2026
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| 数量 | 単価 | 累計金額 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.877 | $0.88 |
| 10+ | $0.854 | $8.54 |
| 30+ | $0.839 | $25.17 |
| 100+ | $0.823 | $82.30 |
NP50P04SDG-E1-AYの技術仕様
Renesas Electronics America Inc - NP50P04SDG-E1-AY技術仕様、属性、パラメーター、およびRenesas Electronics America Inc - NP50P04SDG-E1-AY仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Renesas Electronics Corporation | |
| 同上@ VGS(TH)(最大) | 2.5V @ 250µA | |
| Vgs(最大) | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-252 (MP-3ZK) | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 9.6mOhm @ 25A, 10V | |
| 電力消費(最大) | 1.2W (Ta), 84W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 5000 pF @ 10 V | |
| ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 100 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧(VDSS)にドレイン | 40 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 50A (Tc) | |
| 基本製品番号 | NP50P04 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | ROHS3準拠 |
| 湿度感度レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
右側の三つのパーツはRenesas Electronics America Inc NP50P04SDG-E1-AYと同様の仕様
| 製品属性 | ![]() |
![]() |
||
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | NP50P04KDG-E1-AY | NP50P04SLG-E1-AY | NP50P06SDG-E1-AY | NP50P03YDG-E1-AY |
| メーカー | Renesas Electronics America Inc | Renesas Electronics America Inc | Renesas Electronics America Inc | Renesas Electronics America Inc |
| 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | - | - | - | - |
| 基本製品番号 | - | DAC34H84 | MAX500 | ADS62P42 |
| 技術 | - | - | - | - |
| 電力消費(最大) | - | - | - | - |
| ソース電圧(VDSS)にドレイン | - | - | - | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
| ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | - | - | - | - |
| パッケージ/ケース | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | - | - | - | - |
| パッケージ | - | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| 装着タイプ | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| FETタイプ | - | - | - | - |
| 運転温度 | - | -40°C ~ 85°C | 0°C ~ 70°C | -40°C ~ 85°C |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 同上@ VGS(TH)(最大) | - | - | - | - |
| 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | - | - | - | - |
| Vgs(最大) | - | - | - | - |
| 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | - | - | - | - |
NP50P04SDG-E1-AY - Renesas Electronics America IncのNP50P04SDG-E1-AY PDFデータテーブルとRenesas Electronics America Incドキュメントをダウンロード
NP50P04SDG-E1Renesas Electronics Corporation
NP505WNELLIGBT Module
NP50P03YDG-E1-AYRenesas Electronics America IncMOSFET P-CH 30V 50A 8HSON
NP52N055SUGRENE
NP50P03YDGRenesas Electronics Corporation
NP50P06KDG-E2-AYRenesas Electronics Corporation
NP50P04SDGNEC
NP50P04ZDG(1)P-E1Renesas Electronics Corporation
NP50P04KDGRenesas Electronics Corporation
NP50N04YUK-E1-AYRenesas Electronics America IncLOW VOLTAGE POWER MOSFET
NP501BPNPL
NP50P06SDGVBSEMI
NP50P06SDG MOSRenesas Electronics Corporation
NP50P04SLG-E2-AY MOSRenesas Electronics Corporation
NP50P04SLG-E1-AYRenesas Electronics America IncMP-3ZKあなたのメールアドレスは公開されません。
| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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