- Jess***Jones
- 04/17/2026
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| 数量 | 単価 | 累計金額 |
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RJK03P9DPA-00#J5Aの技術仕様
Renesas Electronics America Inc - RJK03P9DPA-00#J5A技術仕様、属性、パラメーター、およびRenesas Electronics America Inc - RJK03P9DPA-00#J5A仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Renesas Electronics Corporation | |
| 同上@ VGS(TH)(最大) | - | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-WPAK | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 7mOhm @ 10A, 10V | |
| 電力 - 最大 | 15W, 35W | |
| パッケージ/ケース | 8-WFDFN Exposed Pad | |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1660pF @ 10V | |
| ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 7.7nC @ 4.5V | |
| FET特長 | Logic Level Gate, 4.5V Drive | |
| ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 20A, 50A | |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Half Bridge) | |
| 基本製品番号 | RJK03P9 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | ROHS3準拠 |
| ECCN | EAR99 |
右側の三つのパーツはRenesas Electronics America Inc RJK03P9DPA-00#J5Aと同様の仕様
| 製品属性 | ![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | RJK03P9DPA-00#J5A | RJK03S3DPA-00#J5A | RJK03R1DPA-00#J5A | RJK03P7DPA-00#J5A |
| メーカー | Renesas Electronics America Inc | Renesas Electronics America Inc | Renesas Electronics America Inc | Renesas Electronics America Inc |
| ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30V | - | - | 30V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | - | - | MOSFET (Metal Oxide) |
| 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1660pF @ 10V | - | - | 1190pF @ 10V |
| ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 7.7nC @ 4.5V | - | - | 7.1nC @ 4.5V |
| 装着タイプ | Surface Mount | - | - | Surface Mount |
| 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 7mOhm @ 10A, 10V | - | - | 9.4mOhm @ 7.5A, 10V |
| 運転温度 | 150°C (TJ) | - | - | 150°C (TJ) |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Half Bridge) | - | - | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-WPAK | - | - | 8-WPAK |
| 電力 - 最大 | 15W, 35W | - | - | 10W, 20W |
| FET特長 | Logic Level Gate, 4.5V Drive | - | - | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
| シリーズ | - | * | * | - |
| パッケージ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| 同上@ VGS(TH)(最大) | - | - | - | - |
| 基本製品番号 | RJK03P9 | RJK03S3 | RJK03R1 | RJK03P7 |
| パッケージ/ケース | 8-WFDFN Exposed Pad | - | - | 8-WFDFN Exposed Pad |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 20A, 50A | - | - | 15A, 30A |
RJK03R1DPA-HF-HSRenesas Electronics Corporation
RJK03S3DPA-00#J5ARenesas Electronics America IncN-CHANNEL MOSFET
RJK03R1DPA-00Renesas Electronics Corporation
RJK03R1DPA-00#J5ARenesas Electronics America IncN-CHANNEL MOSFET
RJK03P8DPA-00Renesas Electronics Corporation
RJK03S3DPA-00Renesas Electronics Corporation
RJK03P7DPA-00#J5ARenesas Electronics America IncPOWER, N-CHANNEL MOSFET
RJK03P6DPA-WS#J5ARenesas Electronics America IncN-CHANNEL POWER MOSFET
RJK03P5DPA-HF-HSRenesas Electronics Corporation
RJK03P7DPA-WS#J5ARenesas Electronics America IncN-CHANNEL POWER MOSFET
RJK03R1DPARenesas Electronics Corporation
RJK03P8DPA-00#J5ARenesas Electronics America IncN-CHANNEL POWER MOSFET
RJK03T2DPA-00#J5ARenesas Electronics America IncN-CHANNEL POWER MOSFET
RJK03P6DPA-00#J5ARenesas Electronics America IncN-CHANNEL POWER MOSFET
RJK03P5DPA-00-J5A MOSRenesas Electronics Corporation
RJK03P5DPA-00#J5ARenesas Electronics America IncN-CHANNEL POWER MOSFET
RJK03P9DPA-WS#J5ARenesas Electronics America IncN-CHANNEL POWER MOSFET
RJK03S3DPA-00-J0Renesas Electronics Corporationあなたのメールアドレスは公開されません。
| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |

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