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| 数量 | 単価 | 累計金額 |
|---|---|---|
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STB12N60DM2AGの技術仕様
STMicroelectronics - STB12N60DM2AG技術仕様、属性、パラメーター、およびSTMicroelectronics - STB12N60DM2AG仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±25V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | D²PAK (TO-263) | |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101 | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 430mOhm @ 5A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 125W | |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 614 pF @ 100 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 14.5 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 10A (Tc) | |
| 基本製品番号 | STB12N |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | ROHS3準拠 |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
右側の三つのパーツはSTMicroelectronics STB12N60DM2AGと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | STB12N60DM2AG | STB120NF10T4 | STB12NK80ZT4 | STB12NM50 MOS |
| メーカー | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 430mOhm @ 5A, 10V | 10.5mOhm @ 60A, 10V | 750mOhm @ 5.25A, 10V | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 14.5 nC @ 10 V | 233 nC @ 10 V | 87 nC @ 10 V | - |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4.5V @ 100µA | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | 100 V | 800 V | - |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 基本製品番号 | STB12N | STB120 | STB12N | - |
| パッケージ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | - |
| 電力消費（最大） | 125W | 312W (Tc) | 190W (Tc) | - |
| Vgs（最大） | ±25V | ±20V | ±30V | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 614 pF @ 100 V | 5200 pF @ 25 V | 2620 pF @ 25 V | - |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | D²PAK (TO-263) | D2PAK | D2PAK | - |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101 | STripFET™ II | SuperMESH™ | - |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | - |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 10A (Tc) | 110A (Tc) | 10.5A (Tc) | - |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | - |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | - |
STB12NM50 MOSSTMicroelectronicsSTB12NM50FD-1STMicroelectronicsSTB12NM50FDSTMicroelectronicsSTB12NK80Z-1STMicroelectronicsSTB1277LY-ATAUKSTB12NM50STMicroelectronicsSTB120NH03LT4 MOSSTMicroelectronicsSTB12NK80ZT4 MOSSTMicroelectronicsSTB12NK80ZSTMicroelectronicsSTB12NK80Z MOSSTMicroelectronicsSTB120NF10T4STMicroelectronicsMOSFET N-CH 100V 110A D2PAKSTB12NK80ZT4STMicroelectronicsMOSFET N-CH 800V 10.5A D2PAKSTB120NH03LSTMicroelectronicsSTB120NF10STMicroelectronics
STB12100TRSensitron Semiconductor / SMC Diode SolutionsDIODE SCHOTTKY 100V 12A D2PAKSTB120NF10T4 MOSSTMicroelectronicsSTB120NH03LT4STMicroelectronics
STB12100SMC Diode SolutionsDIODE SCHOTTKY 100V 12A D2PAKあなたのメールアドレスは公開されません。
| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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