- Jess***Jones
- 04/17/2026
データシート
STx80N10F7,STH80N10F7-2.pdfPCN陳腐化/ EOL
Mult Dev OBS 2/Apr/2020.pdfPCNアセンブリ/オリジン
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| 数量 | 単価 | 累計金額 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.916 | $0.92 |
| 10+ | $0.785 | $7.85 |
| 30+ | $0.714 | $21.42 |
| 100+ | $0.633 | $63.30 |
| 500+ | $0.598 | $299.00 |
| 1000+ | $0.581 | $581.00 |
STH80N10F7-2の技術仕様
STMicroelectronics - STH80N10F7-2技術仕様、属性、パラメーター、およびSTMicroelectronics - STH80N10F7-2仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics | |
| 同上@ VGS(TH)(最大) | 4.5V @ 250µA | |
| Vgs(最大) | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | H2Pak-2 | |
| シリーズ | DeepGATE™, STripFET™ VII | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 9.5mOhm @ 40A, 10V | |
| 電力消費(最大) | 110W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 3100 pF @ 50 V | |
| ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 45 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V | |
| ソース電圧(VDSS)にドレイン | 100 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 80A (Tc) | |
| 基本製品番号 | STH80N |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | ROHS3準拠 |
| 湿度感度レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
右側の三つのパーツはSTMicroelectronics STH80N10F7-2と同様の仕様
| 製品属性 | ![]() |
![]() |
||
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | STH80N10F7-2 | STH52N10LF3-2AG | STH6N95K5-2 | STH80N10LF7-2AG |
| メーカー | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| Vgs(最大) | ±20V | ±20V | ±30V | ±20V |
| ソース電圧(VDSS)にドレイン | 100 V | 100 V | 950 V | 100 V |
| ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 45 nC @ 10 V | 18.5 nC @ 5 V | 13 nC @ 10 V | 28.3 nC @ 4.5 V |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 電力消費(最大) | 110W (Tc) | 110W (Tc) | 110W (Tc) | 110W (Tc) |
| 同上@ VGS(TH)(最大) | 4.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 5V @ 100µA | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 9.5mOhm @ 40A, 10V | 20mOhm @ 26A, 10V | 1.25Ohm @ 3A, 10V | 10mOhm @ 40A, 10V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 80A (Tc) | 52A (Tc) | 6A (Tc) | 80A (Tc) |
| 基本製品番号 | STH80N | STH52 | STH6 | STH80 |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| シリーズ | DeepGATE™, STripFET™ VII | STripFET™ F3 | MDmesh™ K5 | Automotive, AEC-Q101, STripFET™ |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V | 5V, 10V | 10V | 4.5V, 10V |
| 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 3100 pF @ 50 V | 1900 pF @ 400 V | 450 pF @ 100 V | 2900 pF @ 25 V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | H2Pak-2 | H2Pak-2 | H2Pak-2 | H2Pak-2 |
STH80N10F7-2 - STMicroelectronicsのSTH80N10F7-2 PDFデータテーブルとSTMicroelectronicsドキュメントをダウンロード
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STH5302STH
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| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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