データシート
STx90N4F3.pdfSTI90N4F3の技術仕様
STMicroelectronics - STI90N4F3技術仕様、属性、パラメーター、およびSTMicroelectronics - STI90N4F3仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | I2PAK | |
| シリーズ | STripFET™ III | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 6.5mOhm @ 40A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 110W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2200 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 54 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 40 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 80A (Tc) | |
| 基本製品番号 | STI9 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | ROHS3準拠 |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
右側の三つのパーツはSTMicroelectronics STI90N4F3と同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
 |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | STI90N4F3 | STI8N65M5 | STI8036 | STIB1560DM2T-LZ |
| メーカー | STMicroelectronics | STMicroelectronics | SUNTO | STMicroelectronics |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 54 nC @ 10 V | 15 nC @ 10 V | - | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | - | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | I2PAK | I2PAK | - | - |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 150°C (TJ) | - | - |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | - | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2200 pF @ 25 V | 690 pF @ 100 V | - | - |
| 基本製品番号 | STI9 | STI8 | - | STIB1560 |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | - |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA | - | - |
| シリーズ | STripFET™ III | MDmesh™ V | - | SLLIMM - 2nd |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 6.5mOhm @ 40A, 10V | 600mOhm @ 3.5A, 10V | - | - |
| パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | - | 26-PowerDIP Module (1.146", 29.10mm) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| Vgs（最大） | ±20V | ±25V | - | - |
| パッケージ | Tube | Tube | - | Bulk |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 80A (Tc) | 7A (Tc) | - | - |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | - | Through Hole |
| 電力消費（最大） | 110W (Tc) | 70W (Tc) | - | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 40 V | 650 V | - | - |
STI90N4F3 - STMicroelectronicsのSTI90N4F3 PDFデータテーブルとSTMicroelectronicsドキュメントをダウンロード
STI8036SUNTOSTIB1560DM2T-LZSTMicroelectronicsDISCRETESTI9284-28JSUNTOSTI8N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 7A I2PAKSTI8035SUNTOSTI9712SUNTOSTIB1560DM2-LSTMicroelectronicsPTD HIGH VOLTAGE
STIB1560DM2T-LSTMicroelectronicsSLLIMM 2ND SERIES IPM, 3-PHASE ISTI8070ASTISTIB1060DM2T-LZSTMicroelectronicsDISCRETESTI9284SUNTOSTIB1060DM2T-LSTMicroelectronicsSLLIMM 2ND SERIES IPM, 3-PHASE ISTI8120CTMISTI8720STISTI8035BESUNTOSTI8039SUNTOSTI9715SUNTOSTI8070BSTIあなたのメールアドレスは公開されません。
| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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