- Jess***Jones
- 04/17/2026
データシート
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| 数量 | 単価 | 累計金額 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.264 | $2.26 |
| 200+ | $0.903 | $180.60 |
| 500+ | $0.873 | $436.50 |
| 1000+ | $0.858 | $858.00 |
STL105DN4LF7AGの技術仕様
STMicroelectronics - STL105DN4LF7AG技術仕様、属性、パラメーター、およびSTMicroelectronics - STL105DN4LF7AG仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics | |
| 同上@ VGS(TH)(最大) | 2.5V @ 250µA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerFlat™ (5x6) | |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 4.5mOhm @ 12A, 10V | |
| 電力 - 最大 | 94W | |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1594pF @ 25V | |
| ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 27.5nC @ 10V | |
| FET特長 | - | |
| ソース電圧(VDSS)にドレイン | 40V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 40A (Tc) | |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | |
| 基本製品番号 | STL105 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | ROHS3準拠 |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
右側の三つのパーツはSTMicroelectronics STL105DN4LF7AGと同様の仕様
| 製品属性 | ![]() |
![]() |
![]() |
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | STL105DN4LF7AG | STL105NS3LLH7 | STL100N8F7 | STL065M6SN |
| メーカー | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine |
| ソース電圧(VDSS)にドレイン | 40V | 30 V | 80 V | - |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 | DeepGATE™, STripFET™ VII | STripFET™ | - |
| 基本製品番号 | STL105 | STL105 | STL100 | STL06 |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 40A (Tc) | 105A (Tc) | 100A (Tc) | - |
| 電力 - 最大 | 94W | - | - | - |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | - |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN | - |
| ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 27.5nC @ 10V | 13.7 nC @ 4.5 V | 46.8 nC @ 10 V | - |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 4.5mOhm @ 12A, 10V | 3.9mOhm @ 13.5A, 10V | 6.1mOhm @ 10A, 10V | - |
| 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1594pF @ 25V | 2110 pF @ 25 V | 3435 pF @ 40 V | - |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| 同上@ VGS(TH)(最大) | 2.5V @ 250µA | 1.2V @ 1mA (Min) | 4.5V @ 250µA | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerFlat™ (5x6) | PowerFlat™ (5x6) | PowerFlat™ (5x6) | - |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | - | - | - |
STL105DN4LF7AG - STMicroelectronicsのSTL105DN4LF7AG PDFデータテーブルとSTMicroelectronicsドキュメントをダウンロード
STL100N8F7STMicroelectronicsMOSFET N-CH 80V 100A POWERFLAT
STL065M6SNTE Connectivity Aerospace, Defense and MarineSTL065M6SN = THRU-HOLE
STL105N8F7AGSTMicroelectronics
STL10DN15F3STMicroelectronics
STL100N12F7STMicroelectronicsMOSFET N-CH 120V 100A POWERFLAT
STL105N4LF7HTSTMicroelectronics
STL100N1VH5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 12V 100A POWERFLAT
STL10HN65M2STMicroelectronicsPOWER MOSFET
STL065SC2DC006NTE Connectivity Aerospace, Defense and MarineCONN D-TYPE RCPT 65POS
STL100N6LF6STMicroelectronicsMOSFET N CH 60V 100A PWRFLAT 5X6
STL100NH3LL MOSSTMicroelectronics
STL10LN80K5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 800V 6A PWRFLAT VHV
STL100N10F7STMicroelectronicsMOSFET N-CH 100V 80A POWERFLAT
STL105N4LF7AGSTMicroelectronics
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| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |

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