- Jess***Jones
- 04/17/2026
データシート
STL62P3LLH6.pdfPCN陳腐化/ EOL
Mult Dev OBS 2/Apr/2020.pdfPCNアセンブリ/オリジン
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| 数量 | 単価 | 累計金額 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.685 | $1.69 |
| 200+ | $0.653 | $130.60 |
| 500+ | $0.63 | $315.00 |
| 1000+ | $0.619 | $619.00 |
STL62P3LLH6の技術仕様
STMicroelectronics - STL62P3LLH6技術仕様、属性、パラメーター、およびSTMicroelectronics - STL62P3LLH6仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics | |
| 同上@ VGS(TH)(最大) | 1V @ 250µA (Min) | |
| Vgs(最大) | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerFlat™ (5x6) | |
| シリーズ | STripFET™ H6 | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 10.5mOhm @ 7A, 10V | |
| 電力消費(最大) | 100W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 3350 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 33 nC @ 4.5 V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 62A (Tc) | |
| 基本製品番号 | STL62 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | ROHS3準拠 |
| 湿度感度レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
右側の三つのパーツはSTMicroelectronics STL62P3LLH6と同様の仕様
| 製品属性 | ![]() |
![]() |
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|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | STL62P3LLH6 | STL64N4F7AG | STL66N3LLH5 | STL65N3LLH5 |
| メーカー | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 3350 pF @ 25 V | 637 pF @ 25 V | 1500 pF @ 25 V | 1500 pF @ 25 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 62A (Tc) | 64A (Tc) | 80A (Tc) | 65A (Tc) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount, Wettable Flank | Surface Mount, Wettable Flank | Surface Mount |
| ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 33 nC @ 4.5 V | 9.8 nC @ 10 V | 12 nC @ 4.5 V | 12 nC @ 4.5 V |
| ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30 V | 40 V | 30 V | 30 V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 同上@ VGS(TH)(最大) | 1V @ 250µA (Min) | 4V @ 250µA | 3V @ 250µA | 1V @ 250µA |
| FETタイプ | P-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 電力消費(最大) | 100W (Tc) | 65W (Tc) | 72W (Tc) | 60W (Tc) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerFlat™ (5x6) | PowerFlat™ (5x6) | PowerFlat™ (5x6) | PowerFlat™ (5x6) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| Vgs(最大) | ±20V | ±20V | ±22V | ±22V |
| 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V | 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| シリーズ | STripFET™ H6 | Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 | Automotive, AEC-Q101, STripFET™ V | STripFET™ V |
| 運転温度 | 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 10.5mOhm @ 7A, 10V | 8.5mOhm @ 32A, 10V | 5.8mOhm @ 10.5A, 10V | 5.8mOhm @ 9.5A, 10V |
| 基本製品番号 | STL62 | STL64 | STL66 | STL65 |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN |
STL62P3LLH6 - STMicroelectronicsのSTL62P3LLH6 PDFデータテーブルとSTMicroelectronicsドキュメントをダウンロード
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STL64DN4F7AGSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 40V 40A POWERFLAT
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STL64N4F7AGSTMicroelectronicsDISCRETE
STL66N3LLH5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 30V 80A POWERFLAT
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| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |

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