STP260N4F7の技術仕様
STMicroelectronics - STP260N4F7技術仕様、属性、パラメーター、およびSTMicroelectronics - STP260N4F7仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220 | |
| シリーズ | STripFET™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2.2 mOhm @ 60A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 235W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | |
| 他の名前 | 497-17320 | |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) | |
| メーカーの標準リードタイム | 38 Weeks | |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 5600pF @ 25V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 67nC @ 10V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 40V | |
| 詳細な説明 | N-Channel 40V 120A (Tc) 235W (Tc) Through Hole TO-220 | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 120A (Tc) |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
右側の三つのパーツはSTMicroelectronics STP260N4F7と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | STP260N6F6 | STP25N10F7 | STP25NM60ND | STP265N6F6AG |
| メーカー | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| 電力消費（最大） | - | - | - | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
| 詳細な説明 | - | - | - | - |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 技術 | - | - | - | - |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | - | - | - | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | - | - | - | - |
| 運転温度 | - | -40°C ~ 85°C | 0°C ~ 70°C | -40°C ~ 85°C |
| メーカーの標準リードタイム | - | - | - | - |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | - | - | - | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | - | - | - | - |
| 他の名前 | - | - | - | - |
| パッケージ/ケース | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | - | - | - | - |
| 装着タイプ | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | - | - | - | - |
| Vgs（最大） | - | - | - | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | - | - | - | - |
| FETタイプ | - | - | - | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | - | - | - | - |
| 水分感受性レベル（MSL） | - | - | - | - |
STP2584LF-10MHZC.MAC
STP25N80K5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 800V 19.5A TO220STP25NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 21A TO220ABSTP25NM50NSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 500V 22A TO220ABSTP2695ALFSYMMETRICOM
STP25N10F7 MOSSTMicroelectronics
STP26N65DM2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 20A TO220STP26N60DM6STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 18A TO220STP260N6F6 MOSSTMicroelectronicsSTP25N10F7STMicroelectronicsMOSFET N-CH 100V 25A TO220
STP26N60M2STMicroelectronicsMOSFET N-CHANNEL 600V 20A TO220STP265N6F6AGSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 60V 180A TO220STP260N6F6STMicroelectronicsMOSFET N-CH 60V 120A TO220STP2640LFSYMM
STP25N60M2-EPSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 18A TO220STP25NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 21A TO220ABSTP25N06STMicroelectronicsSTP260N4F7ESSTMicroelectronicsあなたのメールアドレスは公開されません。
| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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