- Jess***Jones
- 04/17/2026
データシート
STPSC8TH13TI.pdfPCNパッケージ
Box Label Chg 28/Jul/2016.pdfPCN設計/仕様
IPD/15/9230 11/May/2015.pdfPCNアセンブリ/オリジン
Manufacturing Extension 03/Jun/2021.pdfより良い価格が欲しいですか?
をとに追加して、すぐにお問い合わせを送信すると、すぐにお客様に連絡します。
| 数量 | 単価 | 累計金額 |
|---|---|---|
| 1+ | $3.08 | $3.08 |
| 10+ | $3.008 | $30.08 |
| 50+ | $2.96 | $148.00 |
| 100+ | $2.913 | $291.30 |
STPSC8TH13TIの技術仕様
STMicroelectronics - STPSC8TH13TI技術仕様、属性、パラメーター、およびSTMicroelectronics - STPSC8TH13TI仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics | |
| 電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 1.75 V @ 8 A | |
| 電圧 - 逆(VR)(最大) | 650 V | |
| 技術 | SiC (Silicon Carbide) Schottky | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB Insulated | |
| 速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) | |
| シリーズ | - | |
| 逆回復時間(trrの) | 0 ns |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | |
| パッケージ | Tube | |
| 動作温度 - ジャンクション | -40°C ~ 175°C | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| ダイオード構成 | 1 Pair Series Connection | |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 80 µA @ 650 V | |
| 電流 - 平均整流(イオ)(ダイオード当たり) | 8A | |
| 基本製品番号 | STPSC8 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | ROHS3準拠 |
| 湿度感度レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
右側の三つのパーツはSTMicroelectronics STPSC8TH13TIと同様の仕様
| 製品属性 | ![]() |
![]() |
||
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | STPSC8TH13TI | STPSC8H065CT | STPST1H100AF | STPST15H100SB-TR |
| メーカー | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount |
| 電流 - 平均整流(イオ)(ダイオード当たり) | 8A | 4A | - | - |
| 基本製品番号 | STPSC8 | STPSC8 | STPST1 | STPST15 |
| パッケージ | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 電圧 - 逆(VR)(最大) | 650 V | 650 V | 100 V | 100 V |
| シリーズ | - | - | ECOPACK®2 | ECOPACK®2 |
| 電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 1.75 V @ 8 A | 1.75 V @ 4 A | 725 mV @ 1 A | 740 mV @ 15 A |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 80 µA @ 650 V | 40 µA @ 650 V | 1.7 µA @ 100 V | 28 µA @ 100 V |
| ダイオード構成 | 1 Pair Series Connection | 1 Pair Common Cathode | - | - |
| 速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 逆回復時間(trrの) | 0 ns | 0 ns | - | - |
| 動作温度 - ジャンクション | -40°C ~ 175°C | -40°C ~ 175°C | 175°C | 175°C |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB Insulated | TO-220 | SOD128Flat | D-PAK (TO-252) |
| 技術 | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky | Schottky | Schottky |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | TO-220-3 | SOD-128 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
STPSC8TH13TI - STMicroelectronicsのSTPSC8TH13TI PDFデータテーブルとSTMicroelectronicsドキュメントをダウンロード
STPST1H100AFSTMicroelectronics100 V, 1 A POWER SCHOTTKY TRENCH
STPST15H100SB-TRSTMicroelectronics100 V, 15 A, DPAK POWER SCHOTTKY
STPST1H100ZFSTMicroelectronics100 V, 1 A POWER SCHOTTKY TRENCH
STPST1H100AFYSTMicroelectronicsAUTOMOTIVE 100 V, 1 A POWER SCHO
STPSC8H065DLFSTMicroelectronicsDIODE SIL CARB 650V 8A POWERFLAT
STPSL8010TVSTMicroelectronicsIGBT Module
STPST10H100SBYTRSTMicroelectronicsAUTOMOTIVE 100 V, 10 A, DPAK POW
STPSC8H065FPSTMicroelectronics
STPST12H100SFSTMicroelectronics100 V, 12 A POWER SCHOTTKY TRENC
STPSC8H065DISTMicroelectronicsDIODE SIC 650V 8A TO220AC INS
STPST15H100SBYTRSTMicroelectronicsAUTOMOTIVE 100 V, 15 A, DPAK POW
STPST10H100SB-TRSTMicroelectronics100 V, 10 A, DPAK POWER SCHOTTKYあなたのメールアドレスは公開されません。
| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
より良い価格が欲しいですか? をとに追加して、すぐにお問い合わせを送信すると、すぐにお客様に連絡します。