- Jess***Jones
- 04/17/2026
データシート
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| 数量 | 単価 | 累計金額 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.233 | $0.23 |
| 200+ | $0.093 | $18.60 |
| 500+ | $0.09 | $45.00 |
| 1000+ | $0.088 | $88.00 |
SSM6J212FE,LFの技術仕様
Toshiba Semiconductor and Storage - SSM6J212FE,LF技術仕様、属性、パラメーター、およびToshiba Semiconductor and Storage - SSM6J212FE,LF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) | |
| 同上@ VGS(TH)(最大) | 1V @ 1mA | |
| Vgs(最大) | ±8V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | ES6 | |
| シリーズ | U-MOSVI | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 40.7mOhm @ 3A, 4.5V | |
| 電力消費(最大) | 500mW (Ta) | |
| パッケージ/ケース | SOT-563, SOT-666 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 970 pF @ 10 V | |
| ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 14.1 nC @ 4.5 V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 1.5V, 4.5V | |
| ソース電圧(VDSS)にドレイン | 20 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 4A (Ta) | |
| 基本製品番号 | SSM6J212 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | ROHS3準拠 |
| 湿度感度レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
| ECCN | EAR99 |
右側の三つのパーツはToshiba Semiconductor and Storage SSM6J212FE,LFと同様の仕様
| 製品属性 | ||||
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | SSM6J212FE,LF | SSM6J207FE,LF | SSM6J213FE(TE85L,F | SSM6J206FE(TE85L,F |
| メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| Vgs(最大) | ±8V | ±20V | ±8V | ±8V |
| 運転温度 | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| シリーズ | U-MOSVI | U-MOSII | U-MOSVI | - |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 4A (Ta) | 1.4A (Ta) | 2.6A (Ta) | 2A (Ta) |
| 同上@ VGS(TH)(最大) | 1V @ 1mA | 2.6V @ 1mA | 1V @ 1mA | 1V @ 1mA |
| 電力消費(最大) | 500mW (Ta) | 500mW (Ta) | 500mW (Ta) | 500mW (Ta) |
| ソース電圧(VDSS)にドレイン | 20 V | 30 V | 20 V | 20 V |
| 基本製品番号 | SSM6J212 | SSM6J207 | SSM6J213 | SSM6J206 |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 970 pF @ 10 V | 137 pF @ 15 V | 290 pF @ 10 V | 335 pF @ 10 V |
| FETタイプ | P-Channel | P-Channel | P-Channel | P-Channel |
| 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 40.7mOhm @ 3A, 4.5V | 251mOhm @ 650mA, 10V | 103mOhm @ 1.5A, 4.5V | 130mOhm @ 1A, 4V |
| パッケージ/ケース | SOT-563, SOT-666 | SOT-563, SOT-666 | SOT-563, SOT-666 | SOT-563, SOT-666 |
| ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 14.1 nC @ 4.5 V | - | 4.7 nC @ 4.5 V | - |
| 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 1.5V, 4.5V | 4V, 10V | 1.5V, 4.5V | 1.8V, 4V |
| サプライヤデバイスパッケージ | ES6 | ES6 | ES6 | ES6 |
SSM6J212FE,LF - Toshiba Semiconductor and StorageのSSM6J212FE,LF PDFデータテーブルとToshiba Semiconductor and Storageドキュメントをダウンロード
SSM6J214FE(TE85L)FES6あなたのメールアドレスは公開されません。
| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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