TP65H050WSの技術仕様
Transphorm - TP65H050WS技術仕様、属性、パラメーター、およびTransphorm - TP65H050WS仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Transphorm | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.8V @ 700µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247-3 | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 60mOhm @ 22A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 119W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1000 pF @ 400 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 24 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 12V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 650 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 34A (Tc) | |
| 基本製品番号 | TP65H050 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | ROHS3準拠 |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| ECCN | EAR99 |
右側の三つのパーツはTransphorm TP65H050WSと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | TP65H050G4WS | TP65H050WSQA | TP65H015G5WS | TP65H035G4WS |
| メーカー | Transphorm | Transphorm | Transphorm | Transphorm |
| パッケージ | - | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | - | - | - | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | - | - | - | - |
| 運転温度 | - | -40°C ~ 85°C | 0°C ~ 70°C | -40°C ~ 85°C |
| 装着タイプ | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| 基本製品番号 | - | DAC34H84 | MAX500 | ADS62P42 |
| Vgs（最大） | - | - | - | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | - | - | - | - |
| 技術 | - | - | - | - |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | - | - | - | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | - | - | - | - |
| パッケージ/ケース | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| 電力消費（最大） | - | - | - | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | - | - | - | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | - | - | - | - |
| FETタイプ | - | - | - | - |
TP65H070LDGTransphormGANFET N-CH 650V 25A 3PQFNTP65H070LSGTransphormGANFET N-CH 650V 25A 3PQFNTP65H150G4LSGTransphormGAN FET N-CH 650V PQFNTP65H035WSQATransphormGANFET N-CH 650V 47.2A TO247-3
TP6508QGTOPROTP65H150BG4JSG-TRTransphormGANFET N-CH 650V 13A QFN5X6TP6508IQGTOPROTP65H050G4BSTransphorm650 V 34 A GAN FETTP65H015G5WSTransphorm650 V 95 A GAN FETTP65H035WSTransphormGANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3TP65H070LDG-TRTransphorm650 V 25 A GAN FETTP65H070G4LSGB-TRTransphormGANFET N-CH 650V 29A QFN8X8TP65H070G4PSTransphormGANFET N-CH 650V 29A TO220TP65H050WSQATransphormGANFET N-CH 650V 36A TO247-3TP65H070LSG-TRTransphormGANFET N-CH 650V 25A PQFN88TP65H035G4WSQATransphorm650 V 46.5 GAN FETTP65H035G4WSTransphormGANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3TP65H050G4WSTransphorm650 V 34 A GAN FETあなたのメールアドレスは公開されません。
| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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