データシート
S3A - S3M.pdfPCN陳腐化/ EOL
PCN-DD-025-2012-Rev-0 28/Nov/2012.pdfS3BHE3/57Tの技術仕様
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - S3BHE3/57T技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay General Semiconductor - Diodes Division - S3BHE3/57T仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.15 V @ 2.5 A | |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 100 V | |
| 技術 | Standard | |
| サプライヤデバイスパッケージ | DO-214AB (SMC) | |
| 速度 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101 | |
| 逆回復時間（trrの） | 2.5 µs |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ/ケース | DO-214AB, SMC | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 150°C | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 10 µA @ 100 V | |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 3A | |
| Vrと、F @キャパシタンス | 60pF @ 4V, 1MHz | |
| 基本製品番号 | S3B |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | ROHS3準拠 |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
右側の三つのパーツはVishay General Semiconductor - Diodes Division S3BHE3/57Tと同様の仕様
| 製品属性 | |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | S3BHE3/9AT | S3BHE3-TP | S3BBHE3-TP | S3BHE3_A/I |
| メーカー | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Micro Commercial Co | Micro Commercial Co | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| シリーズ | - | - | - | - |
| パッケージ/ケース | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| パッケージ | - | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | - | - | - | - |
| 逆回復時間（trrの） | - | - | - | - |
| 速度 | - | - | - | - |
| 動作温度 - ジャンクション | - | - | - | - |
| 基本製品番号 | - | DAC34H84 | MAX500 | ADS62P42 |
| サプライヤデバイスパッケージ | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
| 技術 | - | - | - | - |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | - | - | - | - |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | - | - | - | - |
| Vrと、F @キャパシタンス | - | - | - | - |
| 電流 - 平均整流（イオ） | - | - | - | - |
| 装着タイプ | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
S3BHE3/57T - Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionのS3BHE3/57T PDFデータテーブルとVishay General Semiconductor - Diodes Divisionドキュメントをダウンロード
S3BHR7GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 100V 3A DO214ABS3BHE3-TPMicro Commercial CoInterfaceS3BBHE3-TPMicro Commercial CoInterface
S3BC-HFComchip TechnologyDIODE GEN PURP 100V 3A DO214ABS3BB-TPMicro Commercial CoDIODE GEN PURP 100V 3A DO214AAS3BHE3/9ATVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 100V 3A DO214ABS3BHM6GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
S3BHTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
S3BR25FSemtech CorporationBRIDGE RECT 3PHASE 2.5KV 500MA
S3BBHTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 100V 3A DO214AA
S3BBTRSensitron Semiconductor / SMC Diode SolutionsDIODE GEN PURP 100V 3A SMBS3BBHM4GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 100V 3A DO214AAS3BHE3_A/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 100V 3A DO214ABS3BR20Semtech CorporationBRIDGE RECT 3PHASE 2KV 500MAS3BHE3_A/HVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 100V 3A DO214ABS3BR10Semtech CorporationBRIDGE RECT 3PHASE 1KV 2AS3BBHR5GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 100V 3A DO214AAS3BR05Semtech CorporationBRIDGE RECT 3PHASE 50V 2Aあなたのメールアドレスは公開されません。
| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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