IRF530STRRPBFの技術仕様
Vishay Siliconix - IRF530STRRPBF技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - IRF530STRRPBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | D²PAK (TO-263) | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 160mOhm @ 8.4A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 3.7W (Ta), 88W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 670 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 26 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 14A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IRF530 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | ROHS3準拠 |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix IRF530STRRPBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRF530STRRPBF | IRF532 | IRF540 | IRF540A |
| メーカー | Vishay Siliconix | Harris Corporation | Vishay Siliconix | onsemi |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tube | Tube |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | 100 V | 100 V | 100 V |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 160mOhm @ 8.4A, 10V | 230mOhm @ 8.3A, 10V | 77mOhm @ 17A, 10V | 52mOhm @ 14A, 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 14A (Tc) | 12A (Tc) | 28A (Tc) | 28A (Tc) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 670 pF @ 25 V | 600 pF @ 25 V | 1700 pF @ 25 V | 1710 pF @ 25 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | D²PAK (TO-263) | TO-220AB | TO-220AB | TO-220-3 |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 電力消費（最大） | 3.7W (Ta), 88W (Tc) | 79W (Tc) | 150W (Tc) | 107W (Tc) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 26 nC @ 10 V | 26 nC @ 10 V | 72 nC @ 10 V | 78 nC @ 10 V |
| 基本製品番号 | IRF530 | - | IRF540 | IRF54 |
IRF530STRRPBF - Vishay SiliconixのIRF530STRRPBF PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
IRF532Harris CorporationN-CHANNEL POWER MOSFETIRF540Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 28A TO220ABIRF540AonsemiMOSFET N-CH 100V 28A TO220-3IRF540A MOSIRIRF540APBFVBSEMIIRF530STRLPBF MOSIRIRF530SVishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 14A D2PAKIRF530SPBF MOSIRIRF530SPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 14A TO263IRF530STRPBFIR
IRF530PBF MOSElectro-Films (EFI) / VishayIRF531SEC
IRF540STMicroelectronicsMOSFET N-CH 100V 22A TO220ABIRF530PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 14A TO220ABIRF530S MOSIR
IRF540onsemiMOSFET N-CH 100V 28A TO220ABIRF533IRF530STRLPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 14A D2PAK| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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