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まず  ページプロダクトセンターディスクリート半導体製品トランジスタ-fet、mosfet-シングルSIS330DN-T1-GE3
画像はイメージです、製品の詳細については、仕様を参考してください。
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SIS330DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix

メーカー 部品型番
SIS330DN-T1-GE3
メーカー
Vishay / Siliconix
Allelco 部品型番
32D-SIS330DN-T1-GE3
品質保証
Allelco 1年保証 - もっと詳しく知る
モデルの説明
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8
パッケージ
PowerPAK® 1212-8
データシート
1.SIS330DN-T1-GE3.pdf ...

データシート

SIS330DN-T1-GE3.pdf

PCN陳腐化/ EOL

OBS 11/Feb/2016.pdf

PCNアセンブリ/オリジン

Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014.pdf
RoHS ステータス
ROHS3準拠
比較
認定
在庫あり: 4830

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認定

規格

SIS330DN-T1-GE3の技術仕様
Vishay Siliconix - SIS330DN-T1-GE3技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - SIS330DN-T1-GE3仕様に似たパーツ

製品属性 属性値  
メーカー Vishay / Siliconix  
同上@ VGS（TH）（最大） 2.5V @ 250µA  
Vgs（最大） ±20V  
技術 MOSFET (Metal Oxide)  
サプライヤデバイスパッケージ PowerPAK® 1212-8  
シリーズ TrenchFET®  
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 5.6mOhm @ 10A, 10V  
電力消費（最大） 3.7W (Ta), 52W (Tc)  
パッケージ/ケース PowerPAK® 1212-8  
パッケージ Tape & Reel (TR)  
製品属性 属性値  
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)  
装着タイプ Surface Mount  
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1300 pF @ 15 V  
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 35 nC @ 10 V  
FETタイプ N-Channel  
FET特長 -  
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V  
ソース電圧（VDSS）にドレイン 30 V  
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 35A (Tc)  
基本製品番号 SIS330  

環境と輸出分類

属性 説明
RoHS ステータス ROHS3準拠
湿度感度レベル（MSL） 1 (Unlimited)
州に到達します REACH Unaffected
ECCN EAR99

共通規格を持つ部品

右側の三つのパーツはVishay Siliconix SIS330DN-T1-GE3と同様の仕様

製品属性 SIS330DN-T1-GE3 SIS402DN-T1-GE3 SIS322DNT-T1-GE3 SIS334DN-T1-GE3
部品型番 SIS330DN-T1-GE3 SIS402DN-T1-GE3 SIS322DNT-T1-GE3 SIS334DN-T1-GE3
メーカー Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 35A (Tc) 35A (Tc) 38.3A (Tc) 20A (Tc)
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1300 pF @ 15 V 1700 pF @ 15 V 1000 pF @ 15 V 640 pF @ 15 V
装着タイプ Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤデバイスパッケージ PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8
パッケージ Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 35 nC @ 10 V 42 nC @ 10 V 21.5 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V
パッケージ/ケース PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8
技術 MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧（VDSS）にドレイン 30 V 30 V 30 V 30 V
Vgs（最大） ±20V ±20V +20V, -16V ±20V
FETタイプ N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
シリーズ TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
FET特長 - - - -
電力消費（最大） 3.7W (Ta), 52W (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) 3.8W (Ta), 50W (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 5.6mOhm @ 10A, 10V 6mOhm @ 19A, 10V 7.5mOhm @ 10A, 10V 11.3mOhm @ 10A, 10V
同上@ VGS（TH）（最大） 2.5V @ 250µA 2.2V @ 250µA 2.4V @ 250µA 2.4V @ 250µA
基本製品番号 SIS330 SIS402 SIS322 SIS334

SIS330DN-T1-GE3データテーブルPDF

SIS330DN-T1-GE3 - Vishay SiliconixのSIS330DN-T1-GE3 PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード

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カスタマー　レビュー

評価: 10 記事

  • Jess***Jones
    04/17/2026

    It offers good value for the price, and the specifications match the description. I’ve been using it for two days with no issues, and I’ll definitely buy it again if I need it in the future.

  • Mich***Smith
    04/17/2026

    Shipping was on time, the component pins are neatly aligned, and I tested 10 of them with a multimeter—all readings were within the specified range. Highly recommended.

  • Aman***arris
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    04/3/2026

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  • Daic***K.
    03/23/2026

    Very good. No issue after long time testing.

  • Kevi***.
    03/17/2026

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  • Daou***hekebkeb
    06/16/2024

    I had a great experience purchasing items from Allelcoelec, I recommend

  • Uri ***al
    06/19/2024

    Good comunication,
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    06/19/2024

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一般的な国のロジスティック時間参照
地域 国 ロジスティック時間（日）
アメリカ アメリカ 5
ブラジル 7
ヨーロッパ ドイツ 5
イギリス 4
イタリア 5
オセアニア オーストラリア 6
ニュージーランド 5
アジア インド 4
日本 4
中東 イスラエル 6
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発送料（kg） 参照DHL（USD $）
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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上記の表は参照用です。制御不能な要因にはデータバイアスがある場合があります。
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