- Jess***Jones
- 04/17/2026
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| 数量 | 単価 | 累計金額 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.607 | $0.61 |
| 10+ | $0.591 | $5.91 |
| 30+ | $0.58 | $17.40 |
| 100+ | $0.57 | $57.00 |
BSZ0501NSIATMA1の技術仕様
Infineon Technologies - BSZ0501NSIATMA1技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - BSZ0501NSIATMA1仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS(TH)(最大) | 2V @ 250µA | |
| Vgs(最大) | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TSDSON-8-FL | |
| シリーズ | OptiMOS™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 2mOhm @ 20A, 10V | |
| 電力消費(最大) | 2.1W (Ta), 50W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 2000 pF @ 15 V | |
| ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 33 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 25A (Ta), 40A (Tc) | |
| 基本製品番号 | BSZ0501 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | ROHS3準拠 |
| 湿度感度レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies BSZ0501NSIATMA1と同様の仕様
| 製品属性 | ![]() |
![]() |
![]() |
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | BSZ0503NSIATMA1 | BSZ0502NSIATMA1 | BSZ0506NSATMA1 | BSZ042N04NSGATMA1 |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| サプライヤデバイスパッケージ | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
| 装着タイプ | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 電力消費(最大) | - | - | - | - |
| パッケージ | - | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| Vgs(最大) | - | - | - | - |
| 技術 | - | - | - | - |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 運転温度 | - | -40°C ~ 85°C | 0°C ~ 70°C | -40°C ~ 85°C |
| FETタイプ | - | - | - | - |
| 同上@ VGS(TH)(最大) | - | - | - | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | - | - | - | - |
| パッケージ/ケース | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| 基本製品番号 | - | DAC34H84 | MAX500 | ADS62P42 |
| 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | - | - | - | - |
| ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | - | - | - | - |
| 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | - | - | - | - |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | - | - | - | - |
| ソース電圧(VDSS)にドレイン | - | - | - | - |
BSZ0501NSIATMA1 - Infineon TechnologiesのBSZ0501NSIATMA1 PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
BSZ0503NSIInfineon
BSZ042N04NSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8
BSZ0506NSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 15A/40A TSDSON
BSZ0502NSIATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 22A/40A TSDSON
BSZ0502NSICypress Semiconductor (Infineon Technologies)
BSZ049N03LSCGATMA1Infineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFET
BSZ0500NSIATMA1 0500NSICypress Semiconductor (Infineon Technologies)
BSZ0501NSIATMA1 0501NSICypress Semiconductor (Infineon Technologies)
BSZ0500NSIATMA1Infineon
BSZ0506NSINF1NEON
BSZ0506NS MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)
BSZ042N06NS MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)
BSZ0500NSICypress Semiconductor (Infineon Technologies)
BSZ0501NSICypress Semiconductor (Infineon Technologies)あなたのメールアドレスは公開されません。
| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |

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