- Jess***Jones
- 04/17/2026
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| 数量 | 単価 | 累計金額 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.612 | $0.61 |
BSZ0502NSIATMA1の技術仕様
Infineon Technologies - BSZ0502NSIATMA1技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - BSZ0502NSIATMA1仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS(TH)(最大) | 2V @ 250µA | |
| Vgs(最大) | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TSDSON-8-FL | |
| シリーズ | OptiMOS™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 2.8mOhm @ 20A, 10V | |
| 電力消費(最大) | 2.1W (Ta), 43W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1600 pF @ 15 V | |
| ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 26 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 22A (Ta), 40A (Tc) | |
| 基本製品番号 | BSZ0502 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | ROHS3準拠 |
| 湿度感度レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies BSZ0502NSIATMA1と同様の仕様
| 製品属性 | ![]() |
![]() |
![]() |
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | BSZ0503NSIATMA1 | BSZ0501NSIATMA1 | BSZ050N03LSGATMA1 | BSZ0506NSATMA1 |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | - | - | - | - |
| 装着タイプ | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| FET特長 | - | - | - | - |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | - | - | - | - |
| パッケージ/ケース | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | - | - | - | - |
| Vgs(最大) | - | - | - | - |
| 技術 | - | - | - | - |
| パッケージ | - | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| 基本製品番号 | - | DAC34H84 | MAX500 | ADS62P42 |
| ソース電圧(VDSS)にドレイン | - | - | - | - |
| FETタイプ | - | - | - | - |
| ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | - | - | - | - |
| 同上@ VGS(TH)(最大) | - | - | - | - |
| 運転温度 | - | -40°C ~ 85°C | 0°C ~ 70°C | -40°C ~ 85°C |
| 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | - | - | - | - |
| 電力消費(最大) | - | - | - | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
BSZ0502NSIATMA1 - Infineon TechnologiesのBSZ0502NSIATMA1 PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
BSZ0501NSIATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 25A/40A TSDSON
BSZ0501NSICypress Semiconductor (Infineon Technologies)
BSZ0506NSINF1NEON
BSZ0503NSIInfineon
BSZ0500NSIATMA1 0500NSICypress Semiconductor (Infineon Technologies)
BSZ0500NSICypress Semiconductor (Infineon Technologies)
BSZ0502NSICypress Semiconductor (Infineon Technologies)
BSZ050N03MS
BSZ049N03LSCGATMA1Infineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFET
BSZ0500NSIATMA1Infineon
BSZ0501NSIATMA1 0501NSICypress Semiconductor (Infineon Technologies)
BSZ050N03LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 16A/40A 8TSDSON
BSZ0506NS MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)
BSZ0506NSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 15A/40A TSDSONあなたのメールアドレスは公開されません。
| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |

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