PCNアセンブリ/オリジン
Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013.pdfPCN陳腐化/ EOL
Multiple Devices 13/Nov/2013.pdfIRFH7911TR2PBFの技術仕様
Infineon Technologies - IRFH7911TR2PBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRFH7911TR2PBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.35V @ 25µA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PQFN (5x6) | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 8.6mOhm @ 12A, 10V | |
| 電力 - 最大 | 2.4W, 3.4W | |
| パッケージ/ケース | 18-PowerVQFN | |
| パッケージ | Cut Tape (CT) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1060pF @ 15V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 12nC @ 4.5V | |
| FET特長 | Logic Level Gate | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 13A, 28A | |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | |
| 基本製品番号 | IRFH7911 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| 湿度感度レベル（MSL） | 2 (1 Year) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRFH7911TR2PBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRFH7911TR2PBF | IRFH7911TRPBF | IRFH7914TR2PBF | IRFH7885TRPBF |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 電力 - 最大 | 2.4W, 3.4W | 2.4W, 3.4W | - | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 8.6mOhm @ 12A, 10V | 8.6mOhm @ 12A, 10V | 8.7mOhm @ 14A, 10V | 3.9mOhm @ 50A, 10V |
| パッケージ/ケース | 18-PowerVQFN | 18-PowerVQFN | 8-PowerTDFN | 8-VQFN |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | - | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 12nC @ 4.5V | 12nC @ 4.5V | 12 nC @ 4.5 V | 54 nC @ 10 V |
| パッケージ | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PQFN (5x6) | PQFN (5x6) | 8-PQFN (5x6) | 8-PQFN (5x6) |
| 基本製品番号 | IRFH7911 | IRFH7911 | - | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V | 30V | 30 V | 80 V |
| シリーズ | - | HEXFET® | - | FASTIRFET™ |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.35V @ 25µA | 2.35V @ 25µA | 2.35V @ 25µA | 3.6V @ 150µA |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 13A, 28A | 13A, 28A | 15A (Ta), 35A (Tc) | 22A (Ta) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1060pF @ 15V | 1060pF @ 15V | 1160 pF @ 15 V | 2311 pF @ 40 V |
| FET特長 | Logic Level Gate | Logic Level Gate | - | - |
IRFH7911TR2PBF - Infineon TechnologiesのIRFH7911TR2PBF PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRFH7914TR2PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 15A PQFN56IRFH7885TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 80V 22A 8PQFNIRFH7545IRIRFH7914TRPBF MOSIRIRFH7914TRPBF.IRIRFH7921MIRIRFH7914IRIRFH7911MIRIRFH7911TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN
IRFH7787TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 75V 68A PQFNIRFH7882TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 80V 26A 8PQFNIRFH7921PBFIRIRFH7446TR2PBFInfineon TechnologiesMOSFET N CH 40V 85A PQFN 5X6IRFH7545TRPBFVCypress Semiconductor (Infineon Technologies)
IRFH7914TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 15A/35A 8PQFN
IRFH7545TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 85A PQFNIRFH7914PBFIR
IRFH7446TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 85A 8PQFNあなたのメールアドレスは公開されません。
| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
より良い価格が欲しいですか？ をとに追加して、すぐにお問い合わせを送信すると、すぐにお客様に連絡します。