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STS4DNFS30L.pdfPCN陳腐化/ EOL
Multiple Devices 01/Aug/2014.pdfSTS4DNFS30Lの技術仕様
STMicroelectronics - STS4DNFS30L技術仕様、属性、パラメーター、およびSTMicroelectronics - STS4DNFS30L仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±16V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC | |
| シリーズ | STripFET™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 55mOhm @ 2A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 2W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 330 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 9 nC @ 5 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | Schottky Diode (Isolated) | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4A (Tc) | |
| 基本製品番号 | STS4D |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | ROHS3準拠 |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
右側の三つのパーツはSTMicroelectronics STS4DNFS30Lと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | STS4DNFS30L | STS4NF100 | STS4DNFS30 | STS4DPFS30L |
| メーカー | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| Vgs（最大） | ±16V | ±20V | ±20V | ±16V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 5V, 10V | 10V | 5V, 10V | 4.5V, 10V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4A (Tc) | 4A (Tc) | 4.5A (Tc) | 5A (Tc) |
| 電力消費（最大） | 2W (Tc) | 2.5W (Ta) | 2W (Tc) | 2.5W (Tc) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA | 4V @ 250µA | 1V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | 100 V | 30 V | 30 V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | P-Channel |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 330 pF @ 25 V | 870 pF @ 25 V | 330 pF @ 25 V | 1350 pF @ 25 V |
| FET特長 | Schottky Diode (Isolated) | - | Schottky Diode (Isolated) | Schottky Diode (Isolated) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC |
| 基本製品番号 | STS4D | STS4N | STS4D | STS4D |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 55mOhm @ 2A, 10V | 70mOhm @ 2A, 10V | 55mOhm @ 2A, 10V | 55mOhm @ 2.5A, 10V |
| シリーズ | STripFET™ | STripFET™ II | STripFET™ | STripFET™ |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 9 nC @ 5 V | 41 nC @ 10 V | 4.7 nC @ 5 V | 16 nC @ 5 V |
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STS4DNF60L MOSSTMicroelectronics
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| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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